場效應管與雙極型晶體管的性能比較

場效應管與雙極型晶體管的性能比較

場效應管FET的柵g、源極s、漏極d對應于雙極型晶體管BJT的基極b、發射極e、集電極c，它們的作用相類似。

一、場效應管用柵-源電壓vGS控制漏極電流iD，柵極基本不取電流；而晶體管工作時基極總要索取一定的電流。因此，要求輸入電阻高的電路應選用場效應管；而若信號源可以提供一定的電流，則可選用BJT。而BJT組成的放大電路可以得到比FET更大的電壓放大倍數。

二、FET只有多子參與導電；BJT內既有多子又有少子參與導電，而少子數目受溫度、輻射等因素影響較大，因而FET比BJT的溫度穩定性好、抗輻射能力強。所以在環境條件變化很大的情況下應選用FET。

三、FET的噪聲系數很小，所以低噪聲放大器的輸入級和要求信噪比較高的電路應選用FET。當然也可選用特制的低噪聲BJT。

四、FET的漏極與源極可以互換使用，互換后特性變化不大；而BJT的發射極與集電極互換后特性差異很大，因此只在特殊需要時才互換。

五、FET比BJT的種類多，特別是耗盡型MOS管，柵-源電壓vGS可正、可負、可零，均能控制漏極電流。因而在組成電路時FET比BJT有更大的靈活。

六、FET和BJT均可用于放大電路和開關電路，它們構成了品種繁多的集成電路。但由于FET集成工藝更簡單，且具有耗電省、工作電源電壓范圍寬等優點，因此FET越來越多地應用于大規模和超大規模集成電路之中。